Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "61.72.Cc" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-26 z 26
Tytuł:
Research on Mechanisms of Electric Conduction in the p-Type Silicon Implanted with $Ne^{+}$ Ions
Autorzy:
Węgierek, P.
Billewicz, P.
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uj
61.72.Cc
72.80.Ey
Pokaż więcej
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 948-951
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Temperature on Electrical Parameters of GaAs in the Aspect of Applications in Photovoltaics
Autorzy:
Węgierek, P.
Billewicz, P.
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uj
61.72.Cc
72.80.Ey
Pokaż więcej
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 875-878
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Jump Mechanism of Electric Conduction in n-Type Silicon Implanted with $Ne^{++}$ Neon Ions
Autorzy:
Węgierek, P.
Billewicz, P.
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uj
61.72.Cc
72.80.Ey
Pokaż więcej
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 122-124
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Changes in the Activation Energy of Radiation Defects in Strongly Defected Silicon Depending on the Type and Concentration of Dopant
Autorzy:
Węgierek, P.
Billewicz, P.
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uj
61.72.Cc
72.80.Ey
Pokaż więcej
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1392-1395
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recrystallization of Amorphous Layer in Ion Implanted GaAs - Transmission Electron Microscopy Studies
Autorzy:
Jasiński, J.
Liliental-Weber, Z.
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Jh
61.72.Cc
61.72.Ff
Pokaż więcej
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 825-828
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Research on Thermal Stability of Electrical Parameters of Silicon Used in PV Cells Production Process
Autorzy:
Węgierek, P.
Billewicz, P.
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uj
61.72.Cc
72.80.Ey
Pokaż więcej
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 943-945
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Annealing on Optical Properties of ZnO Nanorods Obtained by the Microwave-Assisted Hydrothermal Process
Autorzy:
Materska, P.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Data publikacji:
2016-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.-m
61.46.-w
61.72.Cc
Pokaż więcej
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1202-1204
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Kinetics of Formation and Metastability Mechanism for Thermal Donor-Related Defects in Al-Doped Silicon
Autorzy:
Kaczor, P.
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Cn
66.30.Lw
61.72.Cc
Pokaż więcej
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 861-864
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Influence of a Magnetic Field on the Formation of Corrosion Defects in Selected Metals and Steels, Analysed Using Positron Annihilation Method
Autorzy:
Pietrzak, R.
Szatanik, R.
Data publikacji:
2014-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.70.Bj
61.72.Cc
82.45.Bb
Pokaż więcej
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 3; 733-736
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-26 z 26

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

    Prześlij opinię

    Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

    Formularz